NDC7002N Circuiti integrati IC MOSFET 2N-CH 50V 0,51A SSOT6 parti
Dettagli:
Numero di modello: | NDC7002N |
Termini di pagamento e spedizione:
Imballaggi particolari: | Nastro e bobina (TR) |
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Tempi di consegna: | 1-2 giorni del lavoro |
Termini di pagamento: | D/A, T/T, Western Union |
Informazioni dettagliate |
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Min Operating Temperature: | -55 °C | Tensione della soglia: | 1,9 V |
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Programma B: | 8541210080 | Tensione di rifornimento doppia: | 50 V |
Supporto: | Montaggio superficiale | Tempo di caduta: | 6 n |
Punti salienti: | CI nell'elettronica,IC integrato,Circuiti integrati elettronici |
Descrizione di prodotto
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RoHS | Conformità |
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Indurimento da radiazioni | - No, no. |
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss) | 50 V |
Drenare alla fonte della resistenza | 2 Ω |
Configurazione degli elementi | Doppia |
Numero di canali | 2 |
Stato del ciclo di vita del fabbricante | ATTIVO (ultimo aggiornamento: 2 anni fa) |
Status del ciclo di vita | Produzione (Ultimo aggiornamento: 2 anni fa) |
Numero di pin | 6 |
Altezza | 900 μm |
Numero di elementi | 2 |
Capacità di ingresso | 20 pF |
Larghezza | 1.7 mm |
Senza piombo | Senza piombo |
Rds su Max | 2 Ω |
Dissipazione di potenza massima | 700 mW |
Voltaggio di rottura di scarico alla sorgente | 50 V |
Vgs nominali | 1.9 V |
tensione di ingresso alla sorgente (Vgs) | 20 V |
REACH SVHC | Nessuna SVHC |
Le offerte più interessanti
Modello di prodotto | Marchio |
IRLML6401TRPBF | INF |
TPS22975DSGR | TI |
C8051F850-C-GMR | SILICONE |
DS1339C-33#T&R | Maximo |
ISL95808HRZ-T | RENSEAS |
HMC704LP4ETR | ADI |
TM4C129DNCPDTI3R | TI |
2N7002ET1G | Attivo |
TLV431TFTA | DIODI |
TL431AIL3T | ST |
Un problema comune
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