• DU28200M Circuiti integrati IC transistor RF a effetto campo di potenza, 2 elementi, componenti ad altissima frequenza
DU28200M Circuiti integrati IC transistor RF a effetto campo di potenza, 2 elementi, componenti ad altissima frequenza

DU28200M Circuiti integrati IC transistor RF a effetto campo di potenza, 2 elementi, componenti ad altissima frequenza

Dettagli:

Numero di modello: DU28200M

Termini di pagamento e spedizione:

Imballaggi particolari: Nastro e bobina (TR)
Tempi di consegna: 1-2 giorni del lavoro
Termini di pagamento: D/A, T/T, Western Union
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Informazioni dettagliate

Max Frequency: 175MHz Max Operating Temperature: 200 °C
Min Operating Temperature: -65 °C Corrente continua dello scolo (identificazione): 20 A
Portone a tensione di fonte (Vgs): 20 V Supporto: - Non lo so.
Punti salienti:

CI nell'elettronica

,

IC integrato

,

Circuiti integrati elettronici

Descrizione di prodotto

Possiamo fornire DU28200M,Inviaci una richiesta di preventivo per richiedereDU28200Mil tempo di consegna,https://www.henkochips.comcon oltre 10 milioni di pezzi di linee di componenti elettronici disponibili, può spedire in tempi brevi,oltre 250 mila numeri di parti di componenti elettronici in magazzino per la consegna immediata, che può includere il numero della parteDU28200M.Il prezzo e il tempo di consegna perDU28200Min base alla quantità richiesta, alla disponibilità e alla posizione del magazzino. Contattaci oggi e il nostro rappresentante commerciale ti fornirà il prezzo e la consegna della parteDU28200MNon vediamo l'ora di lavorare con voi per stabilire relazioni di cooperazione a lungo termine.

 

Imballaggio Altri prodotti
Numero di pin 5
Numero di elementi 2
RoHS Conformità
Indurimento da radiazioni - No, no.
Dissipazione di potenza massima 389 W

 

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