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Fabbricazione PARALLELA dell'ISTANTANEO 512M IC di S29GL512T11FAIV10 IC Chip Tool IC
Dettagli:
| Numero di modello: | S29GL512T11FAIV10 |
Termini di pagamento e spedizione:
| Imballaggi particolari: | Nastro & bobina (TR) |
|---|---|
| Tempi di consegna: | 1-2 giorni del lavoro |
| Termini di pagamento: | D/A, T/T, Western Union |
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Informazioni dettagliate |
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| Tempo di Access: | 110ns | Tipo di memoria: | Non volatile |
|---|---|---|---|
| Stato senza piombo/stato di RoHS: | Verifica/RoHS di inventario di richiesta non compiacente | Descrizione dettagliata: | FLASH - NÉ memoria IC 512Mb (64M x 8) 110ns parallelo |
| Tensione - rifornimento: | 1,65 V ~ 3,6 V | Capacità di memoria: | 512Mb (64M x 8) |
Descrizione di prodotto
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| Interfaccia di memoria: | Parallelo |
|---|---|
| Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina: | 60ns |
| Livello di sensibilità di umidità (MSL): | 3 (168 ore) |
| Serie: | GL-T |
| Formato di memoria: | FLASH |
| Tecnologia: | FLASH - NÉ |
| Temperatura di funzionamento: | -40°C ~ 85°C (TUM) |
Punti culminanti caldi di offerte
| Modello del prodotto | Marca |
| MMBZ33VAL | NEXPERIA |
| MAX96706GTJ/V+T | MASSIMO |
| MAX823SEUK+T | MASSIMO |
| MAX809SEUR+T | MASSIMO |
| MAX705ESA+T | MASSIMO |
| MAX6063AEUR+T | MASSIMO |
| MAX485EPA+ | MASSIMO |
| MAX485EESA+T | MASSIMO |
| MAX40200ANS+T | MASSIMO |
| MAX3491ESD+T | MASSIMO |
Problema comune
Q: Come domandare/ordine S29GL512T11FAIV10?
: Clicchi prego «ottengono il migliore prezzo» e poi cliccano «PRESENTANO». Citazione di richiesta.
Q: Indagine/ordine S29GL512T11FAIV10, quanto tempo posso ottenere una risposta?
: Dopo la ricezione delle informazioni, vi contatteremo appena possibile dal email.
Q: Come pagare dopo l'ordinazione dello S29GL512T11FAIV10?
: Accettiamo T/T (cavo) della Banca, Paypal, Western Union.
