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STF10N60M2 semiconduttore discreto, MOSFET N-CH di 600V TO-220FP
Dettagli:
| Numero di modello: | STF10N60M2 |
Termini di pagamento e spedizione:
| Imballaggi particolari: | Nastro e bobina (TR) |
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| Tempi di consegna: | 1-2 giorni lavorativi |
| Termini di pagamento: | D/A, T/T, Western Union |
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Informazioni dettagliate |
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| Vuoti a tensione di fonte (Vdss): | 600V | Dissipazione di potere (massima): | 25W (TC) |
|---|---|---|---|
| Pacchetto/caso: | Pacchetto completo TO-220-3 | Montaggio del tipo: | Attraverso il foro |
| Imballaggio: | Metropolitana | Pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-220FP |
| Punti salienti: | Semiconduttore discreto STF10N60M2,600V MOSFET N-CH,MOSFET N-CH DI TO-220FP |
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Descrizione di prodotto
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| Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Stato senza piombo/stato di RoHS: | Senza piombo/RoHS compiacente |
| Descrizione dettagliata: | N-Manica 600V 7.5A (TC) 25W (TC) attraverso il foro TO-220FP |
| Livello di sensibilità di umidità (MSL): | 1 (illimitato) |
| Tipo del FET: | N-Manica |
| Serie: | Più di MDmesh™ II |
| Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C: | 7.5A (TC) |
| Altri nomi: | 497-13945-5 STF10N60M2-ND |
| Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds: | 400pF @ 100V |
| Vgs (massimo): | ±25V |
| RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs: | 600 mOhm @ 4A, 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (ossido di metallo) |
| Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: | 13.5nC @ 10V |
| Temperatura di funzionamento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Problema comune
Q: Come domandare/ordine STF10N60M2?
: Clicchi prego «ottengono il migliore prezzo» e poi cliccano «PRESENTANO». Citazione di richiesta.
Q: Indagine/ordine STF10N60M2, quanto tempo posso ottenere una risposta?
: Dopo la ricezione delle informazioni, vi contatteremo appena possibile dal email.
Q: Come pagare dopo l'ordinazione dello STF10N60M2?
: Accettiamo T/T (cavo) della Banca, Paypal, Western Union.
