• MOSFET discreto N-CH 600V 11A TO-220FP a semiconduttore di STF13NM60N
MOSFET discreto N-CH 600V 11A TO-220FP a semiconduttore di STF13NM60N

MOSFET discreto N-CH 600V 11A TO-220FP a semiconduttore di STF13NM60N

Dettagli:

Numero di modello: STF13NM60N

Termini di pagamento e spedizione:

Imballaggi particolari: Nastro e bobina (TR)
Tempi di consegna: 1-2 giorni lavorativi
Termini di pagamento: D/A, T/T, Western Union
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Informazioni dettagliate

Tensione drain-source (Vdss): 600V Dissipazione di potenza (massima): 25W (TC)
Pacchetto/caso: TO-220-3 Confezione completa Montaggio del tipo: Attraverso il foro
Imballaggio: TUBO Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FP

Descrizione di prodotto

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Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @: 4V @ 250µA
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Stato senza piombo/stato di RoHS: Senza piombo/RoHS compiacente
Descrizione dettagliata: N-Manica 600V 11A (TC) 25W (TC) attraverso il foro TO-220FP
Livello di sensibilità di umidità (MSL): 1 (illimitato)
Tipo del FET: N-Manica
Serie: MDmesh™ II
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C: 11A (TC)
Altri nomi: 497-8892-5
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds: 790pF @ 50V
Vgs (massimo): ±25V
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs: 360 mOhm @ 5.5A, 10V
Tecnologia: MOSFET (ossido di metallo)
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: 30nC @ 10V
Temperatura di funzionamento: -55°C ~ 150°C (TJ)

Problema comune

Siamo commessi a fornire ai clienti i prodotti di alta qualità ed i servizi.
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: Accettiamo T/T (cavo) della Banca, Paypal, Western Union.

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