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STB28N65M2 MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK dei circuiti integrati CI
Dettagli:
| Numero di modello: | STB28N65M2 |
Termini di pagamento e spedizione:
| Imballaggi particolari: | Nastro e bobina (TR) |
|---|---|
| Tempi di consegna: | 1-2 giorni lavorativi |
| Termini di pagamento: | D/A, T/T, Western Union |
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Informazioni dettagliate |
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| Tensione drain-source (Vdss): | 650V | Dissipazione di potenza (massima): | 170W (TC) |
|---|---|---|---|
| Pacchetto/caso: | TO-263-3, D²Pak (2 derivazioni + linguetta), TO-263AB | Montaggio del tipo: | Supporto di superficie |
| Imballaggio: | Nastro tagliato (CT) | Pacchetto dispositivo fornitore: | D2PAK |
Descrizione di prodotto
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| Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Stato senza piombo/stato di RoHS: | Senza piombo/RoHS compiacente |
| Descrizione dettagliata: | Supporto D2PAK della superficie 170W (TC) di N-Manica 650V 20A (TC) |
| Caratteristica del FET: | - |
| Livello di sensibilità di umidità (MSL): | 1 (illimitato) |
| Produttore Standard Lead Time: | 42 settimane |
| Tipo del FET: | N-Manica |
| Serie: | MDmesh™ m2 |
| Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C: | 20A (TC) |
| Altri nomi: | 497-15456-1 |
| Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds: | 1440pF @ 100V |
| Vgs (massimo): | ±25V |
| RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs: | 180 mOhm @ 10A, 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (ossido di metallo) |
| Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: | 35nC @ 10V |
| Temperatura di funzionamento: | 150°C (TJ) |
Problema comune
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: Dopo la ricezione delle informazioni, vi contatteremo appena possibile dal email.
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: Accettiamo T/T (cavo) della Banca, Paypal, Western Union.
