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SI7370DP-T1-E3 MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8 dei circuiti integrati CI
Dettagli:
| Numero di modello: | SI7370DP-T1-E3 |
Termini di pagamento e spedizione:
| Imballaggi particolari: | Nastro e bobina (TR) |
|---|---|
| Tempi di consegna: | 1-2 giorni lavorativi |
| Termini di pagamento: | D/A, T/T, Western Union |
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Informazioni dettagliate |
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| Tensione drain-source (Vdss): | 60 V | Dissipazione di potenza (massima): | 1,9 W (Ta) |
|---|---|---|---|
| Pacchetto/caso: | PowerPAK® SO-8 | Montaggio del tipo: | Supporto di superficie |
| Imballaggio: | Nastro e bobina (TR) | Pacchetto dispositivo fornitore: | PowerPAK® SO-8 |
Descrizione di prodotto
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| Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Stato senza piombo/stato di RoHS: | Senza piombo/RoHS compiacente |
| Descrizione dettagliata: | Supporto di superficie 1.9W (tum) PowerPAK® SO-8 di N-Manica 60V 9.6A (tum) |
| Caratteristica del FET: | - |
| Livello di sensibilità di umidità (MSL): | 1 (illimitato) |
| Tipo del FET: | N-Manica |
| Serie: | TrenchFET® |
| Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C: | 9.6A (tum) |
| Altri nomi: | SI7370DP-T1-E3TR SI7370DPT1E3 |
| Vgs (massimo): | ±20V |
| RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs: | 11 mOhm @ 12A, 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (ossido di metallo) |
| Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: | 57nC @ 10V |
| Temperatura di funzionamento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Problema comune
Q: Come domandare/ordine SI7370DP-T1-E3?
: Clicchi prego «ottengono il migliore prezzo» e poi cliccano «PRESENTANO». Citazione di richiesta.
Q: Indagine/ordine SI7370DP-T1-E3, quanto tempo posso ottenere una risposta?
: Dopo la ricezione delle informazioni, vi contatteremo appena possibile dal email.
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: Accettiamo T/T (cavo) della Banca, Paypal, Western Union.
